Samsung и SK hynix модернизируют свои заводы в Китае, чтобы выпускать более совершенную NAND-память. Samsung планирует перевести предприятие в Сиане с 200-слойных чипов на 286-слойные V9 NAND. SK hynix намерена перейти в Даляне с 192-слойной памяти на чипы как минимум с 240 слоями.
Модернизацию осложняют экспортные ограничения США: для установки американского оборудования обе компании ежегодно получают лицензии. Samsung заявила, что действует в тесных консультациях с Вашингтоном и не расширяет производство в Китае. SK hynix устанавливает оборудование в Даляне по согласованию с правительством США. Производственные планы компании не раскрыли.
По данным Reuters, в Сиане на 286-слойную память к декабрю этого года придётся 5000 пластин в месяц, к декабрю следующего года — 40 000. На эту площадку приходится около 40% мирового выпуска NAND компании Samsung.
Модернизация идёт на фоне роста спроса, связанного с искусственным интеллектом, и усиления китайской YMTC. По данным Omdia, во втором квартале её доля на китайском рынке NAND составила 38,5% против 28% по итогам 2025 года. Доля Samsung снизилась с 36% до 33,5%, SK hynix — с 20% до 17%.
