RuPress
Технологии

Ученые Университета Лобачевского запатентовали очистку диоксида кремния для чипов

Подтверждено 2 источниками: CNews, iXBT
Иллюстрация: сгенерировано Gemini · iXBT

Исследователи научно-исследовательской лаборатории инженерной химии НИИ химии Университета Лобачевского запатентовали технологию глубокой очистки нанопорошка диоксида кремния. Материал используется для создания полировальных суспензий, необходимых при производстве современных микросхем.

Технология позволяет получать частицы с заданными размером и формой, высокой однородностью и низким содержанием примесей — эти характеристики критичны для химико-механической полировки полупроводниковых пластин. Специалисты Нижегородского государственного университета имени Н.И. Лобачевского уже подготовили технологическую линию и регламент получения продукта, созданная суспензия направлена на апробацию индустриальному партнёру.

Проект реализуется с 2024 года в рамках стратегического направления «Новые материалы для микроэлектроники» федеральной программы «Приоритет-2030». Исследовательская часть, связанная с подбором состава и условий синтеза, в значительной степени завершена — сейчас идёт проверка стабильности технологии при масштабировании.

Руководитель исследования Ксения Отвагина отметила, что разработка контролируемых материалов — шаг к снижению зависимости российской микроэлектроники от зарубежных поставщиков. Ректор ННГУ Олег Трофимов назвал создание отечественной компонентной базы одной из ключевых задач университета.

Источники